Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SI7998DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7998DP-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SI7998DP-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Πακέτο PowerPAK® SO-8 Dual
Σε απόθεμα 152805 pcs
Φύλλο δεδομένων New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SI7998DP
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$0.573 $0.513 $0.4 $0.33 $0.261
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 152805 κομμάτια του Vishay Siliconix SI7998DP-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® SO-8 Dual
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 15A, 10V
Ισχύς - Max 22W, 40W
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® SO-8 Dual
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Χαρακτηριστικό Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 25A, 30A
Διαμόρφωση 2 N-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης SI7998

Συνιστώμενα προϊόντα

SI7998DP-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων