Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTQ110N055P
IXYS

IXTQ110N055P

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IXTQ110N055P
Κατασκευαστής IXYS
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 55V 110A TO3P
Πακέτο TO-3P
Σε απόθεμα 5199 pcs
Φύλλο δεδομένων Multiple Devices Material 23/Jun/2020IXT(A,P,Q)110N055P
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς IXYS.Έχουμε τα 5199 κομμάτια του IXYS IXTQ110N055P σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-3P
Σειρά Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 390W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-3P-3, SC-65-3
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 2210 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 76 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 55 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IXTQ110

Συνιστώμενα προϊόντα

IXTQ110N055P Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων