Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTQ160N10T
IXYS

IXTQ160N10T

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IXTQ160N10T
Κατασκευαστής IXYS
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 100V 160A TO3P
Πακέτο TO-3P
Σε απόθεμα 21528 pcs
Φύλλο δεδομένων Multiple Devices Material 23/Jun/2020IXT(H,Q)160N10T
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
30
$2.147
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς IXYS.Έχουμε τα 21528 κομμάτια του IXYS IXTQ160N10T σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-3P
Σειρά Trench
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 430W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-3P-3, SC-65-3
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 132 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 160A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IXTQ160

Συνιστώμενα προϊόντα

IXTQ160N10T Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων