Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTQ200N085T
IXYS

IXTQ200N085T

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IXTQ200N085T
Κατασκευαστής IXYS
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 85V 200A TO3P
Πακέτο TO-3P
Σε απόθεμα 6199 pcs
Φύλλο δεδομένων IXT(H,Q)200N085TMultiple Devices Material 23/Jun/2020IXT Series 30/Oct/2012
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς IXYS.Έχουμε τα 6199 κομμάτια του IXYS IXTQ200N085T σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή TO-3P
Σειρά TrenchMV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 480W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-3P-3, SC-65-3
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 152 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 85 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IXTQ200

Συνιστώμενα προϊόντα

IXTQ200N085T Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων