Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SCT2120AFC

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SCT2120AFC
Κατασκευαστής	Rohm Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή	SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Πακέτο	TO-220AB
Σε απόθεμα	6695 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev EOL 1/Feb/2021 SCT2120AFC Wafer Chgs 2/Jun/2020

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Rohm Semiconductor.Έχουμε τα 6695 κομμάτια του Rohm Semiconductor SCT2120AFC σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 3.3mA
Vgs (Max)	+22V, -6V
Τεχνολογία	SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	TO-220AB
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	156mOhm @ 10A, 18V
Έκλυση ενέργειας (Max)	165W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-220-3
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 500 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	61 nC @ 18 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	18V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SCT2120