Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SCT20N120

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SCT20N120
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Πακέτο	HiP247™
Σε απόθεμα	8788 pcs
Φύλλο δεδομένων	SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022 Lead Frame Base Material 20/Dec/2021 Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver SCT20N120

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500
$6.034	$5.544	$4.683	$4.165

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 8788 κομμάτια του STMicroelectronics SCT20N120 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Vgs (Max)	+25V, -10V
Τεχνολογία	SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	HiP247™
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 10A, 20V
Έκλυση ενέργειας (Max)	175W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-247-3
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 200°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	45 nC @ 20 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	20V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	1200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SCT20