SCT20N120H

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SCT20N120H
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Πακέτο	H2Pak-2
Σε απόθεμα	7968 pcs
Φύλλο δεδομένων	SCTx/SCTx/STHx/STPSCx/STTHx/TN4050HP 26/Jul/2022 Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021 SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022 SCT20N120H

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	25	100	250	500
$6.291	$5.78	$5.541	$4.882	$4.642	$4.343

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 7968 κομμάτια του STMicroelectronics SCT20N120H σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Vgs (Max)	+25V, -10V
Τεχνολογία	SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	H2Pak-2
Σειρά	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 10A, 20V
Έκλυση ενέργειας (Max)	175W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 200°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	45 nC @ 20 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	20V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	1200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SCT20