Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SCTH40N120G2V7AG

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SCTH40N120G2V7AG
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7
Πακέτο	H2PAK-7
Σε απόθεμα	6264 pcs
Φύλλο δεδομένων	SCTH40N120G2V7AG SCTH40N120G2V7AG 23/Dec/2022

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500
$8.526	$7.865	$6.716	$6.097

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 6264 κομμάτια του STMicroelectronics SCTH40N120G2V7AG σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Vgs (Max)	+22V, -10V
Τεχνολογία	SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	H2PAK-7
Σειρά	Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 20A, 18V
Έκλυση ενέργειας (Max)	250W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1230 pF @ 800 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	63 nC @ 18 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	18V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	33A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SCTH40

Συνιστώμενα προϊόντα

SCTH336K25 ~~CAP TANT 33UF 10% 25V 2917~~ ~~NTE Electronics, Inc~~
SCTH2010-4R7 ~~FIXED IND 4.7UH 590MA 350MOHM SM~~ ~~Signal Transformer~~
SCTHWA43SDS ~~SENSOR THERMISTOR NTC~~ ~~Honeywell Sensing and Productivity Solutions~~
SCTH90N65G2V-7 ~~SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7~~ ~~STMicroelectronics~~
SCTH226K35 ~~CAP TANT 22UF 10% 35V 2917~~ ~~NTE Electronics, Inc~~
SCTH70N120G2V-7 ~~SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120~~ ~~STMicroelectronics~~
SCTH2010-6R8 ~~FIXED IND 6.8UH 480MA 515MOHM SM~~ ~~Signal Transformer~~
SCTH60N120G2-7 ~~SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7~~ ~~STMicroelectronics~~
SCTH476K20 ~~CAP TANT 47UF 10% 20V 2917~~ ~~NTE Electronics, Inc~~
SCTHWA43SNS ~~SENSOR THERMISTOR NTC~~ ~~Honeywell Sensing and Productivity Solutions~~
SCTH35N65G2V-7AG ~~SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7~~ ~~STMicroelectronics~~
SCTL35N65G2V ~~TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV~~ ~~STMicroelectronics~~
SCTH2010-2R7 ~~FIXED IND 2.7UH 720MA 245MOHM SM~~ ~~Signal Transformer~~
SCTH40N120G2V-7 ~~SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120~~ ~~STMicroelectronics~~
SCTH35N65G2V-7 ~~SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7~~ ~~STMicroelectronics~~
SCTH2010-R56 ~~FIXED IND 560NH 1.52A 70MOHM SMD~~ ~~Signal Transformer~~
SCTH2010-3R3 ~~FIXED IND 3.3UH 680MA 265MOHM SM~~ ~~Signal Transformer~~
SCTHWA43SDG ~~SENSOR THERMISTOR NTC~~ ~~Honeywell Sensing and Productivity Solutions~~
SCTH686K20 ~~CAP TANT 68UF 10% 20V 2917~~ ~~NTE Electronics, Inc~~
SCTH50N120-7 ~~PTD WBG & POWER RF~~ ~~STMicroelectronics~~