Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SCTW40N120G2V
STMicroelectronics

SCTW40N120G2V

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SCTW40N120G2V
Κατασκευαστής STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Πακέτο HiP247™
Σε απόθεμα 6862 pcs
Φύλλο δεδομένων SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022Lead Frame Base Material 20/Dec/2021SCTW40N120G2V
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500
$8.479 $7.793 $6.582 $5.855
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 6862 κομμάτια του STMicroelectronics SCTW40N120G2V σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 1mA
Vgs (Max) +22V, -10V
Τεχνολογία SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή HiP247™
Σειρά -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 18V
Έκλυση ενέργειας (Max) 278W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-247-3
Πακέτο Tube
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 200°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 1233 pF @ 800 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 61 nC @ 18 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 18V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 1200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 36A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

SCTW40N120G2V Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων