SCTWA35N65G2V-4
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SCTWA35N65G2V-4 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | STMicroelectronics |
| Λεπτομερής περιγραφή | DISCRETE |
| Πακέτο | TO-247-4 |
| Σε απόθεμα | 6089 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $7.948 | $7.303 | $6.168 | $5.487 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 6089 κομμάτια του STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +18V, -5V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-247-4 |
| Σειρά | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 240W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-247-4 |
| Πακέτο | Bulk |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 400 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 73 nC @ 20 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 650 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SCTWA35 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SCTW90N65G2V
SICFET N-CH 650V 90A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA30N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247STMicroelectronics -
SCTW40N120G2VAG
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA10N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247STMicroelectronics -
SCTWA70N120G2V-4
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTWA90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650STMicroelectronics -
SCTW100N65G2AG
SICFET N-CH 650V 100A HIP247STMicroelectronics -
SCTW60N120G2
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTWA35N65G2V
TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247STMicroelectronics -
SCTWA35N65G2VAG
SICFET N-CH 650V 45A TO247STMicroelectronics -
SCTWA20N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247STMicroelectronics -
SCTWA50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA90N65G2V-4
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247STMicroelectronics -
SCTW40N120G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120STMicroelectronics -
SCTWA40N120G2V-4
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120STMicroelectronics -
SCTW70N120G2V
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247STMicroelectronics -
SCTWA40N120G2V
DISCRETESTMicroelectronics -
SCTW35N65G2V
SICFET N-CH 650V 45A HIP247STMicroelectronics -
SCTW35N65G2VAG
SICFET N-CH 650V 45A HIP247STMicroelectronics