Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

STB80NF55L-08-1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	STB80NF55L-08-1
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Πακέτο	I2PAK
Σε απόθεμα	68209 pcs
Φύλλο δεδομένων	ST(B,P)80NF55L-08(-1)TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013 STN/B/P 07/Feb/2018

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000
$1.161	$1.043	$0.855	$0.728	$0.614	$0.583

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 68209 κομμάτια του STMicroelectronics STB80NF55L-08-1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±16V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	I2PAK
Σειρά	STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 40A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	300W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Πακέτο	Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας	175°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	4350 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	100 nC @ 4.5 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	55 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	STB80N