Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

STB8NM60T4

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	STB8NM60T4
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Πακέτο	D2PAK
Σε απόθεμα	59494 pcs
Φύλλο δεδομένων	D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013 IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014 STD5NM60, STB8NM60, STP8NM60

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500
$1.192	$1.071	$0.878	$0.747

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 59494 κομμάτια του STMicroelectronics STB8NM60T4 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D2PAK
Σειρά	MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 2.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	100W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	400 pF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	18 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	STB8NM60