Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

STB8N65M5

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	STB8N65M5
Κατασκευαστής	STMicroelectronics
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Πακέτο	D²PAK (TO-263)
Σε απόθεμα	65992 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021 Mult Devices 27/Feb/2019 IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014 STx8N65M5 Datasheet Rev 09/Feb/2022

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500
$1.015	$0.911	$0.747	$0.636

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς STMicroelectronics.Έχουμε τα 65992 κομμάτια του STMicroelectronics STB8N65M5 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	D²PAK (TO-263)
Σειρά	MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 3.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	70W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	690 pF @ 100 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	15 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	STB8N65