SI2369BDS-T1-GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SI2369BDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23 |
| Πακέτο | SOT-23-3 (TO-236) |
| Σε απόθεμα | 585426 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Material ComplianceNew Solder Plating Site 18/Apr/2023Si2369BDS |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.197 | $0.159 | $0.108 | $0.081 | $0.061 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 585426 κομμάτια του Vishay Siliconix SI2369BDS-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +16V, -20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | SOT-23-3 (TO-236) |
| Σειρά | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 745 pF @ 15 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SI2369 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SI2377EDS-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236Vishay Siliconix -
SI2351DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2377EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2372DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4A/5.3A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2365EDS-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2371EDS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2367DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2356DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236Vishay Siliconix -
SI2356DS-T1-BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2374DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23Vishay Siliconix -
SI2369DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2367DS-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2369DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236Vishay Siliconix -
SI2351DS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2366DS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2366DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2374DS-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2387DS-T1-GE3
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1Vishay Siliconix -
SI2371EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23Vishay Siliconix