Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SI2393DS-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SI2393DS-T1-GE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Πακέτο	SOT-23-3 (TO-236)
Σε απόθεμα	649159 pcs
Φύλλο δεδομένων	Material Compliance New Solder Plating Site 18/Apr/2023 Si2393DS

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.203	$0.166	$0.113	$0.085	$0.063

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 649159 κομμάτια του Vishay Siliconix SI2393DS-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Vgs (Max)	+16V, -20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	SOT-23-3 (TO-236)
Σειρά	TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.7mOhm @ 5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	980 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	25.2 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SI2393