SI2392BDS-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SI2392BDS-T1-GE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Πακέτο	SOT-23-3 (TO-236)
Σε απόθεμα	389058 pcs
Φύλλο δεδομένων	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.227	$0.195	$0.146	$0.114	$0.088

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 389058 κομμάτια του Vishay Siliconix SI2392BDS-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	SOT-23-3 (TO-236)
Σειρά	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 10A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	290 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	7.1 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	2A (Ta), 2.3A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SI2392