Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SI3476DV-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SI3476DV-T1-GE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Πακέτο	6-TSOP
Σε απόθεμα	444248 pcs
Φύλλο δεδομένων	New Solder Plating Site 18/Apr/2023 SI3476DV

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.197	$0.169	$0.126	$0.099	$0.077

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 444248 κομμάτια του Vishay Siliconix SI3476DV-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	6-TSOP
Σειρά	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	93mOhm @ 3.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	2W (Ta), 3.6W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	195 pF @ 40 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	7.5 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	80 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	4.6A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SI3476