SI3483DDV-T1-BE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SI3483DDV-T1-BE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Πακέτο	6-TSOP
Σε απόθεμα	467364 pcs
Φύλλο δεδομένων	Mult Devs Manufacturing Capacity Expansion 13/Mar/SI3483DDV

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.223	$0.191	$0.143	$0.112	$0.087

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 467364 κομμάτια του Vishay Siliconix SI3483DDV-T1-BE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Vgs (Max)	+16V, -20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	6-TSOP
Σειρά	TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31.2mOhm @ 5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	2W (Ta), 3W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο	Tape & Reel (TR)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	580 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	6.4A (Ta), 8A (Tc)