Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για τα στοιχεία του προϊόντος.

SI3477DV-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SI3477DV-T1-GE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Πακέτο	6-TSOP
Σε απόθεμα	363366 pcs
Φύλλο δεδομένων	New Solder Plating Site 18/Apr/2023 SI3477DV

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.304	$0.267	$0.205	$0.162	$0.13

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 363366 κομμάτια του Vishay Siliconix SI3477DV-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±10V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	6-TSOP
Σειρά	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.5mOhm @ 9A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2600 pF @ 6 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	90 nC @ 10 V
FET Τύπος	P-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	12 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SI3477