Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SI7958DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7958DP-T1-E3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SI7958DP-T1-E3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
Πακέτο PowerPAK® SO-8 Dual
Σε απόθεμα 4198 pcs
Φύλλο δεδομένων PCN- SIL-0132015 Rev1 18/Feb/2015Si7958DP
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 4198 κομμάτια του Vishay Siliconix SI7958DP-T1-E3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® SO-8 Dual
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 11.3A, 10V
Ισχύς - Max 1.4W
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® SO-8 Dual
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds -
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 75nC @ 10V
FET Χαρακτηριστικό Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 7.2A
Διαμόρφωση 2 N-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης SI7958

Συνιστώμενα προϊόντα

SI7958DP-T1-E3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων