Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SIB413DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB413DK-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIB413DK-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Πακέτο PowerPAK® SC-75-6
Σε απόθεμα 5040 pcs
Φύλλο δεδομένων SIB413DK
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 5040 κομμάτια του Vishay Siliconix SIB413DK-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® SC-75-6
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 6.5A, 4.5V
Έκλυση ενέργειας (Max) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® SC-75-6
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 357 pF @ 10 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 7.63 nC @ 5 V
FET Τύπος P-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 20 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SIB413

Συνιστώμενα προϊόντα

SIB413DK-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων