SIB912DK-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	SIB912DK-T1-GE3
Κατασκευαστής	Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Πακέτο	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Σε απόθεμα	564861 pcs
Φύλλο δεδομένων	SIB912DK

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000
$0.185	$0.157	$0.117	$0.092	$0.071

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 564861 κομμάτια του Vishay Siliconix SIB912DK-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Σειρά	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	216mOhm @ 1.8A, 4.5V
Ισχύς - Max	3.1W
Συσκευασία / υπόθεση	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	95pF @ 10V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	3nC @ 8V
FET Χαρακτηριστικό	Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	1.5A
Διαμόρφωση	2 N-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης	SIB912