Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > SIB914DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB914DK-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIB914DK-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
Πακέτο PowerPAK® SC-75-6L Dual
Σε απόθεμα 3975 pcs
Φύλλο δεδομένων Mosfet EOL 24/Jun/2015SIB914DK
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 3975 κομμάτια του Vishay Siliconix SIB914DK-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® SC-75-6L Dual
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 113mOhm @ 2.5A, 4.5V
Ισχύς - Max 3.1W
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® SC-75-6L Dual
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 125pF @ 4V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 2.6nC @ 5V
FET Χαρακτηριστικό -
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 8V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 1.5A
Διαμόρφωση 2 N-Channel (Dual)
Αριθμός προϊόντος βάσης SIB914

Συνιστώμενα προϊόντα

SIB914DK-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων