SIDR390DP-T1-GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SIDR390DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK |
| Πακέτο | PowerPAK® SO-8DC |
| Σε απόθεμα | 74014 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | PowerPak® SO-8 OutlineSIDR390DP |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.944 | $0.848 | $0.681 | $0.56 | $0.464 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 74014 κομμάτια του Vishay Siliconix SIDR390DP-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® SO-8DC |
| Σειρά | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.8mOhm @ 20A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® SO-8 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 10180 pF @ 15 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 153 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 69.9A (Ta), 100A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SIDR390 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SIDR402DP-T1-RE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR220EP-T1-RE3
N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR500EP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR392DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIDR390DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIDR510EP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR5102EP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR220DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIDR392DP-T1-RE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR140DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIDR104ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAKVishay Siliconix -
SIDR140DP-T1-RE3
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR402EP-T1-RE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR170DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAKVishay Siliconix -
SIDPC01Q
VIRTU SENSOR ULTRASONIC PROXIMITSchneider Electric -
SIDR402DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIDR104AEP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDMP-SP1040-2R2M
FIXED IND 2.2UH SMD 13.2A 8MOHMSuntsu Electronics, Inc. -
SIDR570EP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR220DP-T1-RE3
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix