SIDR626LDP-T1-RE3
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SIDR626LDP-T1-RE3 |
---|---|
Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK |
Πακέτο | PowerPAK® SO-8DC |
Σε απόθεμα | 69585 pcs |
Φύλλο δεδομένων | SiDR626LDP |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$1.238 | $1.113 | $0.894 | $0.735 | $0.609 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 69585 κομμάτια του Vishay Siliconix SIDR626LDP-T1-RE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® SO-8DC |
Σειρά | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 20A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® SO-8 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 5900 pF @ 30 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 45.6A (Ta), 2.4A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | SIDR626 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SIDR608DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAKVishay Siliconix -
SIDR610DP-T1-RE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR668DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR626DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIDR668ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAKVishay Siliconix -
SIDR626DP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR626EP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR608EP-T1-RE3
N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR626LEP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR680DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DCVishay Siliconix -
SIDR610DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAKVishay Siliconix -
SIDR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DCVishay Siliconix -
SIDR668DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAKVishay Siliconix -
SIDR680DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAKVishay Siliconix -
SIDR680ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAKVishay Siliconix -
SIDR638DP-T1-RE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR622DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR610EP-T1-RE3
N-CHANNEL 200 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR622DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAKVishay Siliconix