SIDR610EP-T1-RE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SIDR610EP-T1-RE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | N-CHANNEL 200 V (D-S) 175C MOSFE |
| Πακέτο | PowerPAK® SO-8DC |
| Σε απόθεμα | 42329 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $1.522 | $1.368 | $1.121 | $0.954 | $0.805 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 42329 κομμάτια του Vishay Siliconix SIDR610EP-T1-RE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® SO-8DC |
| Σειρά | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31.9mOhm @ 10A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 7.5W (Ta), 150W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® SO-8 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1380 pF @ 100 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 200 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SIDR610 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SIDR668ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAKVishay Siliconix -
SIDR626LEP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR570EP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR608EP-T1-RE3
N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR608DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAKVishay Siliconix -
SIDR5802EP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR626DP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR510EP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR622DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR638DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DCVishay Siliconix -
SIDR626EP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR610DP-T1-RE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR5102EP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR500EP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
SIDR638DP-T1-RE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SIDR622DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAKVishay Siliconix -
SIDR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAKVishay Siliconix -
SIDR610DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAKVishay Siliconix -
SIDR578EP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFEVishay Siliconix -
SIDR626DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAKVishay Siliconix