SIS430DN-T1-GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SIS430DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 |
| Πακέτο | PowerPAK® 1212-8 |
| Σε απόθεμα | 4952 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014SIS430DN |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 4952 κομμάτια του Vishay Siliconix SIS430DN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® 1212-8 |
| Σειρά | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 20A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® 1212-8 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 12.5 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 25 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SIS430 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SIS429DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SIS439DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8SVishay Siliconix -
SIS444DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SIS448DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SIS443DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SIS424DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SIS415DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SIS436DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SIS435DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SIS407DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SIS426DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SIS412DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SIS452DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SIS427EDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SIS447DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SIS438DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SIS414DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8Vishay Siliconix