Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SIS436DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS436DN-T1-GE3

Αριθμός μέρους κατασκευαστή SIS436DN-T1-GE3
Κατασκευαστής Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Πακέτο PowerPAK® 1212-8
Σε απόθεμα 5932 pcs
Φύλλο δεδομένων Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018SIS436DN
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 5932 κομμάτια του Vishay Siliconix SIS436DN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PowerPAK® 1212-8
Σειρά TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 10A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση PowerPAK® 1212-8
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 855 pF @ 10 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 22 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 25 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης SIS436

Συνιστώμενα προϊόντα

SIS436DN-T1-GE3 Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων