SISA34DN-T1-GE3
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SISA34DN-T1-GE3 |
---|---|
Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 |
Πακέτο | PowerPAK® 1212-8 |
Σε απόθεμα | 353796 pcs |
Φύλλο δεδομένων | Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018SISA34DN |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 | 10 |
---|---|
$0.197 | $0.129 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 353796 κομμάτια του Vishay Siliconix SISA34DN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® 1212-8 |
Σειρά | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 10A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 20.8W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® 1212-8 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 15 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | SISA34 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SISC06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAKVishay Siliconix -
SISA26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8SVishay Siliconix -
SISB46DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SISA88DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAKVishay Siliconix -
SISA14BDN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISA16DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISC050N10DX1SA1
MOSFET N-CHAN SAWED WAFERInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISA24DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA35DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAKVishay Siliconix -
SISA18DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA96DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAKVishay Siliconix -
SISA66DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA18BDN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISA18ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA12BDN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISA72ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAKVishay Siliconix -
SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8Vishay Siliconix