SISC06DN-T1-GE3
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SISC06DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK |
| Πακέτο | PowerPAK® 1212-8 |
| Σε απόθεμα | 241967 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 08/Dec/2022SISC06DN |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.35 | $0.311 | $0.243 | $0.201 | $0.158 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 241967 κομμάτια του Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® 1212-8 |
| Σειρά | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 15A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 3.7W (Ta), 46.3W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® 1212-8 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2455 pF @ 15 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 27.6A (Ta), 40A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | SISC06 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA35DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAKVishay Siliconix -
SISF02DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8Vishay Siliconix -
SISF06DN-T1-GE3
COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-SVishay Siliconix -
SISF20DN-T1-GE3
MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCDVishay Siliconix -
SISF00DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12Vishay Siliconix -
SISA34DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA88DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAKVishay Siliconix -
SISB46DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SISC185N06LX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISA40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAKVishay Siliconix -
SISA66DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISC262SN06LX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISC624P06X3MA1
SMALL SIGNAL+P-CHInfineon Technologies -
SISC050N10DX1SA1
MOSFET N-CHAN SAWED WAFERInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISF04DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SISC29N20DX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInfineon Technologies -
SISA72ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAKVishay Siliconix -
SISA96DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISC097N24DX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInfineon Technologies