SISH106DN-T1-GE3
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | SISH106DN-T1-GE3 |
---|---|
Κατασκευαστής | Vishay Siliconix |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK |
Πακέτο | PowerPAK® 1212-8SH |
Σε απόθεμα | 122585 pcs |
Φύλλο δεδομένων | SISH106DN |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.674 | $0.602 | $0.469 | $0.388 | $0.306 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Vishay Siliconix.Έχουμε τα 122585 κομμάτια του Vishay Siliconix SISH106DN-T1-GE3 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PowerPAK® 1212-8SH |
Σειρά | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 1.5W (Ta) |
Συσκευασία / υπόθεση | PowerPAK® 1212-8SH |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 27 nC @ 4.5 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 20 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | SISH106 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
SISC262SN06LX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISH103DN-T1-GE3
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISF00DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12Vishay Siliconix -
SISF06DN-T1-GE3
COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-SVishay Siliconix -
SISH407DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAKVishay Siliconix -
SISH116DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAKVishay Siliconix -
SISH110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAKVishay Siliconix -
SISH410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAKVishay Siliconix -
SISC624P06X3MA1
SMALL SIGNAL+P-CHInfineon Technologies -
SISH129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAKVishay Siliconix -
SISH112DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAKVishay Siliconix -
SISF02DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8Vishay Siliconix -
SISF20DN-T1-GE3
MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCDVishay Siliconix -
SISH114ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAKVishay Siliconix -
SISH107DN-T1-GE3
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISC29N20DX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInfineon Technologies -
SISH402DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAKVishay Siliconix -
SISH101DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAKVishay Siliconix -
SISF04DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SISH108DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SHVishay Siliconix