FQD17P06TM
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQD17P06TM |
---|---|
Κατασκευαστής | onsemi |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
Πακέτο | TO-252AA |
Σε απόθεμα | 197012 pcs |
Φύλλο δεδομένων | onsemi RoHSonsemi REACHLogo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Assembly Change 28/May/2023Postponed Qualification 27/Dec/2022 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.409 | $0.366 | $0.286 | $0.236 | $0.186 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 197012 κομμάτια του onsemi FQD17P06TM σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-252AA |
Σειρά | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 6A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
FET Τύπος | P-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 60 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | FQD17P06 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQD19N10TM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD16N25CTM
MOSFET N-CH 250V 16A DPAKonsemi -
FQD17N08LTM
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252onsemi -
FQD19N10LTF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD1N50TF
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAKonsemi -
FQD16N15TM
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD16N25CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD17N08LTF
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252Fairchild Semiconductor -
FQD18N20V2TM
MOSFET N-CH 200V 15A DPAKonsemi -
FQD19N10LTF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD17P06TF
MOSFET P-CH 60V 12A DPAKonsemi -
FQD17N08LTF
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252onsemi -
FQD18N20V2TF
MOSFET N-CH 200V 15A DPAKonsemi -
FQD16N15TM
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKonsemi -
FQD16N25CTM_F080
MOSFET N-CH 250V 16A DPAKonsemi -
FQD19N10TM_F080
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD19N10TF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD19N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD16N15TF
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKonsemi