FQD13N10LTM
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQD13N10LTM |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| Πακέτο | TO-252AA |
| Σε απόθεμα | 365165 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | onsemi RoHSonsemi REACHDescription Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Assembly Change 28/May/2023FQD13N10L, FQU13N10L |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.301 | $0.263 | $0.202 | $0.16 | $0.128 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 365165 κομμάτια του onsemi FQD13N10LTM σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-252AA |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FQD13N10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQD13N06LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD13N10TM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 11A DPAKonsemi -
FQD13N10TF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD13N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD13N06LTF
MOSFET N-CH 60V 11A DPAKonsemi -
FQD13N10LTF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD16N15TF
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKonsemi -
FQD14N15TM
MOSFET N-CH 150V 10A DPAKonsemi -
FQD16N15TM
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD12P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252onsemi -
FQD16N15TM
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKonsemi -
FQD16N25CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD13N06TM
MOSFET N-CH 60V 10A DPAKonsemi -
FQD13N10LTM_NBEL001
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252Fairchild Semiconductor -
FQD13N10LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD13N06TF
MOSFET N-CH 60V 10A DPAKonsemi -
FQD16N25CTM
MOSFET N-CH 250V 16A DPAKonsemi