FQD19N10LTM
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQD19N10LTM |
|---|---|
| Κατασκευαστής | onsemi |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK |
| Πακέτο | TO-252AA |
| Σε απόθεμα | 211908 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | onsemi RoHSonsemi REACHDescription Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Assembly Change 28/May/2023 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.39 | $0.349 | $0.272 | $0.225 | $0.177 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς onsemi.Έχουμε τα 211908 κομμάτια του onsemi FQD19N10LTM σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-252AA |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 7.8A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 100 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 15.6A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | FQD19N10 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQD19N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD17N08LTF
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252onsemi -
FQD1N50TM
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAKonsemi -
FQD19N10TF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD16N25CTM_F080
MOSFET N-CH 250V 16A DPAKonsemi -
FQD1N60CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD1N60CTF
MOSFET N-CH 600V 1A DPAKonsemi -
FQD18N20V2TM
MOSFET N-CH 200V 15A DPAKonsemi -
FQD1N60CTM
MOSFET N-CH 600V 1A DPAKonsemi -
FQD19N10LTF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD19N10TM_F080
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD1N50TM
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD17N08LTF
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252Fairchild Semiconductor -
FQD1N50TF
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAKonsemi -
FQD17P06TM
MOSFET P-CH 60V 12A DPAKonsemi -
FQD19N10TM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKonsemi -
FQD18N20V2TF
MOSFET N-CH 200V 15A DPAKonsemi -
FQD17N08LTM
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252onsemi -
FQD19N10LTF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAKFairchild Semiconductor -
FQD17P06TF
MOSFET P-CH 60V 12A DPAKonsemi