FQD16N15TM
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | FQD16N15TM |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Fairchild Semiconductor |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK |
| Πακέτο | TO-252, (D-Pak) |
| Σε απόθεμα | 189201 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 523 |
|---|
| $0.203 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Fairchild Semiconductor.Έχουμε τα 189201 κομμάτια του Fairchild Semiconductor FQD16N15TM σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-252, (D-Pak) |
| Σειρά | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5.9A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Bulk |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 150 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 11.8A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
FQD16N15TF
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKonsemi -
FQD13N10TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD16N25CTM
MOSFET N-CH 250V 16A DPAKonsemi -
FQD17N08LTM
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252onsemi -
FQD16N15TM
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAKonsemi -
FQD17P06TM
MOSFET P-CH 60V 12A DPAKonsemi -
FQD13N10LTM_NBEL001
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD16N25CTM_F080
MOSFET N-CH 250V 16A DPAKonsemi -
FQD18N20V2TF
MOSFET N-CH 200V 15A DPAKonsemi -
FQD17P06TF
MOSFET P-CH 60V 12A DPAKonsemi -
FQD13N10LTF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD17N08LTF
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252onsemi -
FQD13N10TF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD18N20V2TM
MOSFET N-CH 200V 15A DPAKonsemi -
FQD13N10LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD13N10TM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi -
FQD17N08LTF
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252Fairchild Semiconductor -
FQD14N15TM
MOSFET N-CH 150V 10A DPAKonsemi -
FQD16N25CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
FQD13N10LTM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAKonsemi