BSB056N10NN3GXUMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	BSB056N10NN3GXUMA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Πακέτο	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Σε απόθεμα	51729 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019 Mult Dev A/T Add 31/Jan/2023

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000
$1.528	$1.373	$1.125	$0.958	$0.808	$0.767

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 51729 κομμάτια του Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Σειρά	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6mOhm @ 30A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	3-WDSON
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-40°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	5500 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	74 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 83A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	BSB056