BSB165N15NZ3GXUMA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	BSB165N15NZ3GXUMA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Πακέτο	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Σε απόθεμα	61191 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019 Mult Dev A/T Add 31/Jan/2023

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

1	10	100	500	1000	2000
$1.361	$1.221	$1.001	$0.852	$0.718	$0.682

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 61191 κομμάτια του Infineon Technologies BSB165N15NZ3GXUMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 110µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Σειρά	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5mOhm @ 30A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	3-WDSON
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-40°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2800 pF @ 75 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	35 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	150 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 45A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	BSB165