BSB104N08NP3GXUSA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	BSB104N08NP3GXUSA1
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON
Πακέτο	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Σε απόθεμα	140117 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019 Mult Dev Site Add 30/Dec/2020

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

5000	10000
$0.252	$0.243

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 140117 κομμάτια του Infineon Technologies BSB104N08NP3GXUSA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Σειρά	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4mOhm @ 10A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	2.8W (Ta), 42W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	3-WDSON
Πακέτο	Tape & Reel (TR)
Θερμοκρασία λειτουργίας	-40°C ~ 150°C (TJ)

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	2100 pF @ 40 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	31 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	80 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	13A (Ta), 50A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης	BSB104