BSB280N15NZ3G

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	BSB280N15NZ3G
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Πακέτο	MG-WDSON-2-5
Σε απόθεμα	4293 pcs
Φύλλο δεδομένων

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 4293 κομμάτια του Infineon Technologies BSB280N15NZ3G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 60µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	MG-WDSON-2-5
Σειρά	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 30A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	2.8W (Ta), 57W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	DirectFET™ Isometric MX
Πακέτο	Bulk

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-40°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	1600 pF @ 75 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	21 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	150 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 30A (Tc)