BSC119N03S G
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | BSC119N03S G |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSON |
| Πακέτο | PG-TDSON-8-1 |
| Σε απόθεμα | 6221 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideBSC119N03S G |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 6221 κομμάτια του Infineon Technologies BSC119N03S G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TDSON-8-1 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.9mOhm @ 30A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.8W (Ta), 43W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerTDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 15 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 11 nC @ 5 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 30 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 11.9A (Ta), 30A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
BSC12DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC106N025S G
MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSONInfineon Technologies -
BSC130P03LS G
P-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC120N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSONInfineon Technologies -
BSC110N15NS5SCATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
BSC118N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSONInfineon Technologies -
BSC110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8Infineon Technologies -
BSC120N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSONInfineon Technologies -
BSC110N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 76A TDSONInfineon Technologies -
BSC120N03LSG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
BSC117N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 49A TDSONInfineon Technologies -
BSC123N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC13DN30NSFDATMA1
MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1Infineon Technologies -
BSC118N10NSG
BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSONInfineon Technologies -
BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1Infineon Technologies -
BSC112N06LDATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
BSC120N12LSGATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8Infineon Technologies -
BSC119N03MSCG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC130P03LSGAUMA1
MOSFET P-CH 30V 12A/22.5A TDSONInfineon Technologies