Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Πολιτική Απορρήτου Επικοινωνήστε μαζί μας
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IMW120R014M1HXKSA1
Infineon Technologies

IMW120R014M1HXKSA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IMW120R014M1HXKSA1
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή SIC DISCRETE
Πακέτο PG-TO247-3
Σε απόθεμα 2929 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100
$17.375 $16.212 $14.076
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 2929 κομμάτια του Infineon Technologies IMW120R014M1HXKSA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 5.2V @ 23.4mA
Vgs (Max) +20V, -5V
Τεχνολογία SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PG-TO247-3
Σειρά CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Έκλυση ενέργειας (Max) 455W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-247-3
Πακέτο Tube
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 4580 nF @ 25 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 110 nC @ 18 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 15V, 18V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 1200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 127A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

IMW120R014M1HXKSA1 Φύλλο δεδομένων PDF

Σχετικές λέξεις-κλειδιά για το IMW120R014M1HXKSA1

Σχετικά μέρη για το IMW120R014M1HXKSA1