IMW65R083M1HXKSA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IMW65R083M1HXKSA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
| Πακέτο | PG-TO247-3-41 |
| Σε απόθεμα | 13823 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $3.926 | $3.608 | $3.047 | $2.71 | $2.486 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 13823 κομμάτια του Infineon Technologies IMW65R083M1HXKSA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 3.3mA |
| Vgs (Max) | +20V, -2V |
| Τεχνολογία | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO247-3-41 |
| Σειρά | CoolSiC™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 111mOhm @ 11.2A, 18V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 104W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-247-3 |
| Πακέτο | Tube |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Through Hole |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 624 pF @ 400 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 19 nC @ 18 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 650 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IMW65R |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IMW120R007M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMW65R048M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
IMW65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMW120R014M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3Infineon Technologies -
IMW65R072M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
IMW120R020M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3Infineon Technologies -
IMW120R220M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3Infineon Technologies -
IMW65R039M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
IMW65R107M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
IMW120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3Infineon Technologies -
IMW120R040M1HXKSA1
SIC DISCRETEInfineon Technologies -
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCHInfineon Technologies -
IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3Infineon Technologies -
IRF7701GTRPBF
MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOPInfineon Technologies -
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3Infineon Technologies -
IMW65R057M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247Infineon Technologies -
FQPF7N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4Fairchild Semiconductor -
IMW120R140M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3Infineon Technologies