Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IMW65R107M1HXKSA1
Infineon Technologies

IMW65R107M1HXKSA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IMW65R107M1HXKSA1
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Πακέτο PG-TO247-3-41
Σε απόθεμα 13198 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$4.429 $4.001 $3.313 $2.885 $2.513
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 13198 κομμάτια του Infineon Technologies IMW65R107M1HXKSA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 5.7V @ 3mA
Vgs (Max) +23V, -5V
Τεχνολογία SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PG-TO247-3-41
Σειρά CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 142mOhm @ 8.9A, 18V
Έκλυση ενέργειας (Max) 75W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-247-3
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 496 pF @ 400 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 15 nC @ 18 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 18V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 650 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IMW65R107

Συνιστώμενα προϊόντα

IMW65R107M1HXKSA1 Φύλλο δεδομένων PDF