Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies

IMW120R220M1HXKSA1

Αριθμός μέρους κατασκευαστή IMW120R220M1HXKSA1
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Πακέτο PG-TO247-3-41
Σε απόθεμα 20822 pcs
Φύλλο δεδομένων
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 10 100 500 1000
$3.805 $3.438 $2.846 $2.478 $2.159
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 20822 κομμάτια του Infineon Technologies IMW120R220M1HXKSA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 5.7V @ 1.6mA
Vgs (Max) +23V, -7V
Τεχνολογία SiCFET (Silicon Carbide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή PG-TO247-3-41
Σειρά CoolSiC™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 286mOhm @ 4A, 18V
Έκλυση ενέργειας (Max) 75W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση TO-247-3
Πακέτο Tube
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 175°C (TJ)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
τοποθέτηση Τύπος Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 289 pF @ 800 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 8.5 nC @ 18 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 15V, 18V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 1200 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)
Αριθμός προϊόντος βάσης IMW120

Συνιστώμενα προϊόντα

IMW120R220M1HXKSA1 Φύλλο δεδομένων PDF