IPD90N04S304ATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD90N04S304ATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 |
| Πακέτο | PG-TO252-3-11 |
| Σε απόθεμα | 106505 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 2500 | 5000 |
|---|---|
| $0.422 | $0.406 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 106505 κομμάτια του Infineon Technologies IPD90N04S304ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3-11 |
| Σειρά | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 80A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 136W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 40 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD90 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD900P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252Infineon Technologies -
IPD90N06S4-07ATMA2
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD90N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P407ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P4L06ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R900P7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInfineon Technologies -
IPD90N04S40-4ATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD90N04S3H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P4L06ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P407ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S405ATMA1
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N06S404ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N06S404ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31Infineon Technologies -
IPD80R900P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S3-04
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD90N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies