IPD85P04P4L06ATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD85P04P4L06ATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 |
| Πακέτο | PG-TO252-3-313 |
| Σε απόθεμα | 4046 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Assembly/Status 6/Jul/2022Mult Dev Design Chg 9/Oct/2019 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 4046 κομμάτια του Infineon Technologies IPD85P04P4L06ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3-313 |
| Σειρά | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 85A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 88W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 6580 pF @ 25 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 104 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | P-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 40 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 85A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD85P04 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD90N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R4K5P7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInfineon Technologies -
IPD900P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252Infineon Technologies -
IPD90N04S3-04
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD80R900P7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInfineon Technologies -
IPD90N04S304ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S3H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252Infineon Technologies -
IPD90N04S40-4ATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD90N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P4L06ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P407ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P407ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R900P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO252Infineon Technologies