IPD80R900P7ATMA1
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD80R900P7ATMA1 |
---|---|
Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3 |
Πακέτο | PG-TO252-3 |
Σε απόθεμα | 149573 pcs |
Φύλλο δεδομένων | IPD80R900P7IPD80R900P7Mult Dev Leadframe Chgs 9/Jun/2020Mult Dev Leadframe Rev 30/Jun/2020CoolMOS A/T Chgs 4/Mar/2022 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.651 | $0.581 | $0.453 | $0.374 | $0.295 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 149573 κομμάτια του Infineon Technologies IPD80R900P7ATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 110µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-TO252-3 |
Σειρά | CoolMOS™ P7 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 45W (Tc) |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 500 V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 800 V |
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD80R900 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3Infineon Technologies -
IPD900P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252Infineon Technologies -
IPD80R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO252Infineon Technologies -
IPD90N04S3-04
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPD90N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R2K8CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S304ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R900P7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInfineon Technologies -
IPD85P04P4L06ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252Infineon Technologies -
IPD80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P4L06ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD90N04S3H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R4K5P7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInfineon Technologies -
IPD85P04P407ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies -
IPD85P04P407ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3Infineon Technologies