IPD80R2K7C3AATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IPD80R2K7C3AATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | MOSFET N-CH TO252-3 |
| Πακέτο | D-Pak |
| Σε απόθεμα | 104565 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.651 | $0.586 | $0.471 | $0.387 | $0.321 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 104565 κομμάτια του Infineon Technologies IPD80R2K7C3AATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | D-Pak |
| Σειρά | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.2A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 42W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 100 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 1.5 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 800 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | IPD80R2 |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252Infineon Technologies -
IPD80R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252Infineon Technologies -
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R900P7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInfineon Technologies -
IPD80R4K5P7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORInfineon Technologies -
IPD80R2K8CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R2K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO252Infineon Technologies -
IPD80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252Infineon Technologies -
IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K0CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3Infineon Technologies -
IPD80R1K4P7
800V, 1.4OHM, N-CHANNEL MOSFET,Infineon Technologies