IPS118N10N G

Αριθμός μέρους κατασκευαστή	IPS118N10N G
Κατασκευαστής	Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή	MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
Πακέτο	PG-TO251-3-11
Σε απόθεμα	5349 pcs
Φύλλο δεδομένων	Part Number Guide CoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008 Multiple Devices 26/Jul/2012 IPS118N10N G

Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)

Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 5349 κομμάτια του Infineon Technologies IPS118N10N G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Vgs (Max)	±20V
Τεχνολογία	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή	PG-TO251-3-11
Σειρά	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.8mOhm @ 75A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max)	125W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Πακέτο	Tube

Χαρακτηριστικό προϊόντος	Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας	-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος	Through Hole
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds	4320 pF @ 50 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs	65 nC @ 10 V
FET Τύπος	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)	100 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)