IQE013N04LM6SCATMA1
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | IQE013N04LM6SCATMA1 |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Infineon Technologies |
| Λεπτομερής περιγραφή | OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET |
| Πακέτο | PG-WHSON-8-1 |
| Σε απόθεμα | 66523 pcs |
| Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.153 | $1.034 | $0.831 | $0.683 | $0.566 | $0.527 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 66523 κομμάτια του Infineon Technologies IQE013N04LM6SCATMA1 σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 51µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | PG-WHSON-8-1 |
| Σειρά | OptiMOS™ 6 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35mOhm @ 20A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max) | 2.5W (Ta), 107W (Tc) |
| Συσκευασία / υπόθεση | 8-PowerWDFN |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 3800 pF @ 20 V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| FET Τύπος | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 40 V |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 31A (Ta), 205A (Tc) |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
IQE006NE2LM5SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE022N06LM5CGSCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60VInfineon Technologies -
IQE022N06LM5SCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60VInfineon Technologies -
IQE022N06LM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE013N04LM6CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE046N08LM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE008N03LM5CGATMA1
TRENCH <= 40V PG-TTFN-9Infineon Technologies -
IQE006NE2LM5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSONInfineon Technologies -
IQE022N06LM5ATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE046N08LM5ATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IQE030N06NM5CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE013N04LM6CGATMA1
40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3Infineon Technologies -
IQE006NE2LM5CGATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAKInfineon Technologies -
IQE030N06NM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9Infineon Technologies -
IQE030N06NM5SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFETInfineon Technologies -
IQE030N06NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8Infineon Technologies -
IQE008N03LM5ATMA1
TRENCH <= 40V PG-TSON-8Infineon Technologies -
IQE013N04LM6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSONInfineon Technologies -
IQE046N08LM5CGSCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60VInfineon Technologies